Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів (ІФД) на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінювання у випадку енергії електронів E = 225 МеВ та інтегральної дози <$E PHI~=~10 sup 14~roman см sup -2> час життя електронів практично не змінюється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворювання дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори - міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор - вакансія Sb, глибокий донор - вакансія In. Пороговий потік для ІФД у результаті опромінювання практично не змінюється.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"