За допомогою методів атомної силової мікроскопії та комбінаційного розсіяння світла досліджено SiGe-наноострівці, сформовані на кремнієвому та Si0,9Ge0,1 буферних шарах. З метою дослідження острівців певної форми (hut-кластерів, пірамід, куполів) було одержано одномодові масиви острівців цієї форми шляхом варіювання товщини осадженого шару Ge та температури епітаксії. Встановлено, що серед незарощених острівців найбільші пружні деформації виникають у пірамідальних, а найменші - у куполоподібних острівцях. Ступінь релаксації напружень за рахунок геометричного фактора найбільший у мінімальних за розмірами куполоподібних острівцях. Показано, що використання Si0,9Ge0,1 буферного шару для вирощування на ньому острівців сприяє їх латеральному впорядкуванню.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Джаган Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"