Kim S. S. Quantum confinement effect in Zn0,8Mg0,2O/ZnO multiple quantum wells on ZnO nanorods / S. S. Kim, H. J. Lim, H. Cheong, W. I. Park, G.-Ch. Yi // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 35-40. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Зазначено, що ZnO нанострижні викликають значний інтерес у зв'язку з перспективами їх практичного використання у короткохвильових напівпровідникових діодних лазерах та електронних пристроях нанометрового розміру. Для керування зміною ширини забороненої зони таких нанострижнів, Zn0,8Mg0,2O/ZnO нанострижні з багатократними квантовими ямами були сформовані шляхом метал-органічної епітаксії з парової фази на нанострижні ZnO, що були вільні від каталізатора. В діапазоні 90 - 295 К проведено міряння електровідбивання, результати якого порівняно з даними фотолюмінесценції. В цьому разі спостережено квантовий ефект, що зумовлений обмеженням розмірів. Ключ. слова: ZnO nanorods, quantum confinement effect, Zn_0,8Mg_0,2O/ZnO Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З86-531.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|