Наведено результати досліджень кореляції акустичної емісії (АЕ) та оборотних і необоротних змін електрофізичних характеристик світловипромінювальних гетероструктур на основі InGaN і GaAsP у процесі їх деградації під час протікання прямого струму критичної густини. Встановлено, що процес локальної перебудови дефектної структури під час протікання струму, що супроводжується АЕ, має термоактиваційний характер - із ростом температури поріг виникнення АЕ знижується й одночасно зростає кількість активних джерел АЕ. Зі зниженням температури поріг виникнення АЕ наближається до межі руйнування, у цьому випадку процеси природного старіння значно підвищують пороги виникнення АЕ та руйнування структури.

• Велещук Віталій Петрович (фізико-математичні науки)
• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Ляшенко Олег Вікторович (технічні науки)
• Ляшенко Олена Валеріївна (медичні науки)
• Ляшенко Олег Всеволодович (1959–2013) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"