Досліджено багатозарядну імплантацію в моно-Si кисню й азоту у вигляді молекулярних (радикальних) іонів, які дозволяють сформувати не тільки вертикальний ізолюючий шар, але і латеральний захований шар оксинітриду кремнію (SixOyNz), який має досить високі ізолюючі характеристики. У цьому випадку доза імплантації радикальних іонів, яка необхідна для синтезу такого шару, є на порядок меншою доз імплантації іонів азоту та кисню, необхідних для формування захованих ізолюючих шарів на основі оксиду та нітриду кремнію. На базі такої SOI-структури (Silicon-on-Insulator) можна формувати субмікронні МОН-структури BIC.

• Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"