Кладько В. П. Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах <$E bold {{roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}}> / В. П. Кладько, В. В. Стрельчук, Н. В. Слободян, А. Н. Ефанов, В. Ф. Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2007. - 5, вип. 3. - С. 729-738. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Используя карты распределения интенсивности диффузно рассеянного рентгеновского излучения в обратном пространстве, полученные в симметричной 004 и несимметричных 113 и 224 дифракционных геометриях, исследованы 8-мипериодные напряженные <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}(100)> структуры (x = 0,20 - 0,35), выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены латеральный период модуляции, среднее значение компонентного состава в слое <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> и вертикальный период сверхрешетки. Установлено, что латеральная модуляция наблюдалась только вдоль одного [0 - 11] направления в плоскости, отвечающего образованию квантовой нитеподобной структуры. Обсуждены возможные физические механизмы латеральной модуляции компонентного состава и толщины <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As> и их роль при формировании квантовых точек в напряженных <$E {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}> структурах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|