Представлен обзор последних теоретических исследований влияния состояния поверхности и явлений экранирования на нуклеацию и рост искусственных нанодоменов в сегнетоэлектриках-полупроводниках. Полученные результаты показывают, что возникновение доменов под действием неоднородного электрического поля зонда силового микроскопа является фазовым переходом первого рода - домены конечного радиуса возникают, если приложенное к зонду электрическое напряжение превышает критическое значение, которое зависит от геометрии иглы, толщины пленки, явлений экранирования и состояния поверхности. Высота энергетического барьера и критические размеры зародыша в значительной степени определяются состоянием поверхности образца: величиной и распределением плотности заряда, экранирующего спонтанную поляризацию снаружи образца.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"