Виявлено та досліджено вплив акумулювальної напруги на нижньому затворі субмікронних частково збіднених КНІ МОН-транзисторів на лоренціанівський компонент струмового шуму, що виникає у шумових спектрах таких приладів за достатньо високих напруг на стоковому електроді та зумовлений ударною іонізацією біля стокового p - n-переходу. Показано, що така акумулювальна напруга суттєво впливає на величину постійної часу та рівень шумового плато цих лоренціанів, а також призводить до зменшення канального струму. Ці явища пояснено на базі раніше запропонованої моделі, згідно з якою акумулювальна напруга на нижньому затворі збільшує провідність p - n-переходу база - витік. У спектрах шуму, що спостережено за нижчих стокових напруг, виявлено індуковані нижнім затвором так звані ІНЗ-лоренціани, зумовлені найквістовими флуктуаціями цієї провідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"