Досліджено спеціально нелеговані і леговані міддю монокристали CdS. Опромінення зразків електронами з E = 1,2 МеВ (дозою Ф = <$E 2~cdot~10 sup 17~roman {ел "/" см sup 2}>) веде до утворення рухливих за кімнатної температури дефектів, а також розпаду вихідних донорно-акцепторних асоціатів. Більш радіаційно стійкими виявилися монокристали CdS. Первинні радіаційні дефекти в CdS:Cu - зразках (NCu = <$E 10 sup 18~roman см sup -3>) утворюють після опромінення вторинні дефекти, які відіграють роль швидких центрів рекомбінації і відповідальні за домішкову фотопровідність. При зберіганні опромінених кристалів в їх приповерхневій області формуються парамагнітні центри. Зроблено висновки про природу вторинних радіаційних дефектів, відповідальних за фотоактивні і парамагнітні центри в опромінених зразках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Давидюк Георгій Євлампійович (1944–2013) (фізико-математичні науки)
• Божко Володимир Вячеславович (технічні науки)
• Божко Владислав Володимирович (технічні науки)
• Божко Вадим В'ячеславович (медичні науки)
• Божко Володимир Васильович (фізико-математичні науки)
• Мирончук Галина Леонідівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"