Петренко В. Р. Вплив технологічних параметрів на розподіл кисню в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського / В. Р. Петренко, В. А. Тербан, Л. Г. Шепель // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - 8, № 4. - С. 801-805. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.На основі експериментально встановлених залежностей швидкості розчинення кварцевого тигля в розплаві кремнію від температури та тиску газу в камері вирощування розроблено математичну модель процесу легування кристалів кремнію киснем. За допомогою моделі проведено оцінку чутливості початкової (максимальної) концентрації кисню в кристалі до флуктуацій основних технологічних параметрів. Одержані результати дозволяють зробити висновки, що середня концентрація кисню в кристалі визначається середньою температурою розплаву, а характер розподілу кисню в кристалі залежить як від початкової маси розплаву, так і від геометричної форми тигля, а також меншою мірою від діаметра кристала. В цьому разі концентрація кисню практично не залежить від динамічних параметрів процесу вирощування. Адекватність запропонованої моделі експериментально підтверджено значеннями параметрів кристалів, одержаних за реальних промислових умов. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|