Представлены результаты теоретического (на базе локально-полевой модели эффекта Ганна) и экспериментального анализа возможности оптимизации параметра <$E n sub 0 L> полупроводниковых структур с междолинным электронным переносом по критерию максимальной мощности в режимах с выделением высших гармоник. Показано, что генерируемая мощность на второй гармонике GaAs-диодами Ганна с параметром <$E n sub 0 L~=~( 3~-~4 )~cdot~10 sup 12~roman см sup -2> значительно (примерно в 5 раз) выше мощности, генерируемой структурами с <$E n sub 0 L~=~( 1~-~2 )~cdot~10 sup 12~roman см sup -2>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"