Рассмотрено воздействие микроволнового излучения и термоотжига на межфазные взаимодействия на границе раздела контактов Pt - GaAs, а также их влияние на барьерные свойства контакта. Показано, что в результате микроволновой обработки и длительного термоотжига диодных структур с барьером Шоттки Au - Pt - <$E n~-~n sup +> - GaAs возможна деградация параметров барьера, обусловленная размытием границы раздела Pt - GaAs.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"