На базі моделі складного спектра точкових дефектів у кристалах n- і p-PbTe уперше запропоновано кристалоквазіхімічні формули для різних механізмів легування талієм з урахуванням диспропорціювання зарядового стану домішки. Розраховано залежності концентрацій точкових дефектів і холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легуючої домішки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борик Віктор Васильович (хімічні науки)
• Туровська Лілія Вадимівна (хімічні науки)
• Туровська Людмила Володимирівна (філологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"