Получены и проанализированы оптические спектры квантовых точек CdS и ZnSe, выращенных в боросиликатном стекле золь-гель методом. Обнаружено, что при концентрациях обоих полупроводников <$E x~<<~0,06~%> спектры излучения обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в квантовых состояниях. Рассчитаны средний размер квантовых точек (КТ) для данной концентрации ZnSe и CdS, который хорошо согласуется с рентгенографическими данными, а также энергия связи экситонов с учетом диэлектрического рассогласования полупроводника и матрицы. Предположено, что рассогласование может быть причиной появления уровня протекания (перколяции) экситонов в массиве КТ, которое наблюдается в обеих системах при <$E x~>>~0,06~%>. Впервые обнаружено излучение из поверхностного уровня КТ CdS в области ~ 2,7 эВ, образованного внешними атомами с оборванными связями, а также полоса излучения из поверхностных локализованных состояний. Установлена связь между положением максимума этой полосы и энергией 1S-состояния свободного экситона. Показано, что свойства поверхностных локализованных состояний во многом сходны с аналогичными свойствами локализованных состояний 3D (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения) и 2D (квантовые ямы и сверхрешетки) структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7

Рубрики:

Квантова електродинаміка

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бондар Микола Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"