Исследованы монокристаллы p-Si, полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок <$E p~=~6~cdot~10 sup 13~roman см sup -3>. Образцы облучены электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов произведен в интервале температур <$E T sub roman отж~=~100~symbol Ш~500~symbol Р roman C>. Электрофизические параметры измерены методом Холла в интервале температур 77 - 300 K. Анализ исследований показал, что в процессе изохронного отжига в интервале температур 270 - 300 <$E symbol Р>C имеет место конверсия дивакансий <$E V sub 2> в комплексы <$E {roman B} sub s V sub 2> по реакции <$E {roman B} sub s~+~V sub 2~symbol О~{roman B} sub s V sub 2>. Комплексу <$E {roman B} sub s V sub 2> соответствует уровень с энергией Ev + 0,22 эВ, он отжигается в интервале температур 360 - 440 <$E symbol Р>C.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"