На базі моделі складного спектра точкових дефектів у кристалах n- і p-PbTe вперше запропоновано кристалоквазіхімічні формули для різних механізмів легування індієм: заповнення катіонних вакансій, вкорінення у тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів телуру, виділення фази In2Te3 з врахуванням диспропорціювання зарядового стану індію за схемою <$E roman {In sup +2~symbol О~In sub z sup +1~+~In sub 1-z sup +3~+~ (1~-~2z )e prime}>. Розраховано залежності концентрацій точкових дефектів та холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легувальної домішки (In) для різних значень відхилення від стехіометричного складу PbTe, величини диспропорціювання зарядових станів індію і вакансій у катіонній підгратці та концентрації міжвузлового телуру.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Туровська Лілія Вадимівна (хімічні науки)
• Туровська Людмила Володимирівна (філологічні науки)
• Борик Віктор Васильович (хімічні науки)
• Дикун Наталія Іванівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"