Запропоновано кристалоквазіхімічні формули як для n-ZnS із власними точковими дефектами, так і легованого ізовалентною домішкою - киснем. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв заряду та холлівської концентрації від ступеня нестехіометрії та вмісту легуючої домішки. Досліджено вплив відхилення від стехіометрії, частки цинку у власних вузлах, величини диспропорціювання міжвузлового цинку на умови реалізації n - p-переходів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г522.1 + В379.222

Рубрики:

Кристалічні структури неорганічних сполук

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сташко Назар Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"