Ромака В. А. Механізм генерації акцепторної домішки в інтерметалічному напівпровіднику TiCoSb при сильному легуванні донорною домішкою V. 1. Дослідження структури та розподілу щільності електронних станів / В. А. Ромака, Ю. В. Стадник, П. Рогл, Л. Г. Аксельруд, В. М. Давидов, В. В. Ромака, Ю. К. Гореленко, А. М. Горинь // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 2. - С. 158-163. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.Досліджено структурні характеристики та розраховано розподіл щільності електронних станів інтерметалічного напівпровідника TiCoSb, сильнолегованого донорною домішкою V. Виявлено різний ступінь зайнятості позицій атомів Co і (Ti, V) в елементарній комірці <$E {roman Ti} sub 1-x {roman V} sub x roman CoSb>, що є еквівалентним введенню у напівпровідник двох сортів акцепторної домішки. Показано, що числові методи розрахунку адекватно описують фізичні процеси у напівпровіднику, якщо у процесі побудови комірки Вігнера - Зейтца враховувати ступінь зайнятості позицій атомів в елементарній комірці кристалічної сполуки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|