РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000190506<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Ромака В. А. 
Механізм генерації акцепторної домішки в інтерметалічному напівпровіднику TiCoSb при сильному легуванні донорною домішкою V. 1. Дослідження структури та розподілу щільності електронних станів / В. А. Ромака, Ю. В. Стадник, П. Рогл, Л. Г. Аксельруд, В. М. Давидов, В. В. Ромака, Ю. К. Гореленко, А. М. Горинь // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 2. - С. 158-163. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.

Досліджено структурні характеристики та розраховано розподіл щільності електронних станів інтерметалічного напівпровідника TiCoSb, сильнолегованого донорною домішкою V. Виявлено різний ступінь зайнятості позицій атомів Co і (Ti, V) в елементарній комірці <$E {roman Ti} sub 1-x {roman V} sub x roman CoSb>, що є еквівалентним введенню у напівпровідник двох сортів акцепторної домішки. Показано, що числові методи розрахунку адекватно описують фізичні процеси у напівпровіднику, якщо у процесі побудови комірки Вігнера - Зейтца враховувати ступінь зайнятості позицій атомів в елементарній комірці кристалічної сполуки.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського