Проанализированы физико-технологические ограничения, возникающие при построении интегральных сенсорных массивов на основе ионоселективных полевых транзисторов, выполненных по p-канальной МОП-технологии на единой кремниевой подложке. При разработке сенсорного массива особое внимание уделено устранению главных недостатков типовых ионоселективных полевых транзисторов, которые существенно ограничивают использование этих приборов в широкой практике - проблем с герметизацией, быстрым старением прибора и взаимовлиянию соседних сенсорных элементов. Показано, что оптимальный выбор как конструктивно-технологических, так и электрических параметров сенсорного массива позволяет получить необходимую стабильность и воспроизводимость выходных сигналов всех сенсорных каналов, обеспечивая надежную работу прибора в целом.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"