Запропоновано кристалоквазіхімічні формули твердих розчинів n(p)-PbTe-InTe для механізмів заміщення In катіонних вакансій, а також тетрапорожнин щільної упаковки атомів телуру кристалічної структури плюмбум телуриду з урахуванням диспропорціювання зарядового стану індію: <$E roman {In sup +2~symbol О~In sup +1~+~In sup +3}>. Розраховано залежності концентрації дефектів (N) і холлівської концентрації носіїв заряду (<$E n sub roman H>) твердих розчинів від вмісту InTe. На підставі порівняння результатів експерименту та розрахунків зроблено висновки про природу і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + К204.2

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борик Віктор Васильович (хімічні науки)
• Туровська Лілія Вадимівна (хімічні науки)
• Туровська Людмила Володимирівна (філологічні науки)
• Юрчишин Любов Дмитрівна (хімічні науки)
• Шевчук Мирослава Олегівна (хімічні науки)
• Шевчук Марина Олександрівна (педагогічні науки)
• Шевчук Михайло Олександрович (юридичні науки)
• Шевчук Марина Олександрівна (соціологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"