Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об'єднує канали захоплення позитронів об'ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об'ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя - процесу "pick-off" анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами.

• Клим Галина Іванівна (1981–) (фізико-математичні науки)
• Ваків Микола Михайлович (1952–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"