Числово змодельовано рекомбінаційний струм для структур із бар'єром Шотткі через шари Ge квантових точок у Si та шари InAs квантових точок у GaAs. Показано, що для реальних значень енергій залягання рівнів квантових точок та інших параметрів просторового їх розміщення у структурах із Ge квантовими точками в Si величина рекомбінаційного струму може на декілька порядків перевищувати надбар'єрний струм у разі невеликих прямих зміщень. В цей же час, рекомбінаційний струм для структур із шарами InAs квантових точок в GaAs може домінувати над надбар'єрним у цих структурах лише за особливих умов досить глибоких рівнів квантових точок.

• Ільченко Володимир Васильович (технічні науки)
• Ільченко Василь Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"