Наведено результати експериментальних досліджень надшвидкої зміни фотопровідності гетероструктур Al0,33Ga0,67N/GaN за умови їх опромінення лазерним імпульсом тривалістю 10 нс й з енергією квантів 3,7 еВ. Великий сигнал швидкої зміни провідності збігається з розподілом інтенсивності лазерного випромінення у часі. На цій підставі зроблено висновок про час відгуку фотопровідності порядку 1 нс. Виявлено, що сигнал швидкої компоненти фотопровідності може бути суттєво підсилений зовнішнім електричним полем, прикладеним вздовж провідного каналу гетероструктури. Реалізовано підсилення сигналу у 10 разів у полях ~ 15 кВ/см за температур 4,2 та 300 К. Такий ефект підсилення пов'язано зі зростанням часу рекомбінації фотозбуджених носіїв, спричиненим впливом високочастотних нерівноважних акустичних фононів терагерцового діапазону, випромінюваних гарячими носіями у провідному каналі гетероструктури. Одержані результати мають суттєве значення для подальшого прогресу у створенні швидкодіючих та чутливих детекторів ультрафіолетового спектрального діапазону.

• Зеленський Сергій Євгенович (фізико-математичні науки)
• Дрок Євген Андрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"