Дан обзор экспериментальных и теоретических исследований структур, содержащих квантовые точки. Рассмотрены эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Приведены спектры электронов квантовых гранул сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа вольт-амперной характеристики (ВАХ). В "ортодоксальную" теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных диодов на малых кластерах золота вычислен размер щели тока и ее асимметрия по напряжению. Приведены результаты исследования влияния перегрева электронной подсистемы на кулоновскую блокаду в структуре на металлической грануле-молекуле со счетным количеством атомов. ВАХ туннельных структур рассчитана для разных температурных режимов. Повышение температуры электронной подсистемы кластера приводит к исчезновению токовой щели и сильной сглаженности квантовых и кулоновских ступенек на ВАХ структуры, что и наблюдается в экспериментах.

• Погосов Валентин Вальтерович (технічні науки)
• Коротун Андрій Віталійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"