Здійснено розрахунок електронної структури інтерметалічного напівпровідника ZrNiSn, сильно легованого акцепторними домішками Mn, для випадків парамагнітної та впорядкованої установок атомів Mn. Легування n-ZrNiSn призводить до зміни типу провідності напівпровідника з електронного до діркового та реалізації переходу провідності діелектрик - метал (перехід Андерсона). В цьому разі, провідність напівпровідника визначається головним чином d-електронами Mn лише зі спінами, направленими "вниз". Сумарний магнітний момент лінійно залежить від концентрації акцепторних домішок Mn, тоді як магнітний момент атомів Mn швидко виходить на насичення і, починаючи з x = 0,1, практично не змінюється.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Чекурін Василь Феодосійович (1951–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"