Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны <$E tau sub P~=~1~roman мс ,~lambda~=~0,694> мкм и энергией <$E symbol Г~1> Дж на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МПа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.

• Москаль Денис Степанович (фізико-математичні науки)
• Надточий Віктор Анатолійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"