За допомогою методу РФЕ в температурному інтервалі 635 - 620 <$E symbol Р>C вирощено гетероструктури n-InP:Те/p-In0,917Ga0,083As0,155P0,845:Zn та досліджено їх випромінювальні, вольт-фарадні характеристики і напругу пробою. Виявлено існування кореляцій між інтенсивністю випромінювання структури за прямого зміщення та її напругою пробою за оберненого зміщення на p - n-переході. Встановлено, що найвищою інтенсивністю випромінювання володіли структури, для яких за використовуваних технологічних режимів росту легований p-InGaAsP:Zn шар нарощували не менше години. Показано, що така тривалість процесу забезпечує лінійний розподіл легуючої домішки в області p - n-переходу і величину градієнта її концентрації, меншу за <$E 10 sup 22~roman см sup -4>. Цього одночасно достатньо для забезпечення напруги пробою переходу Ud на рівні 10 В. Зроблено висновок, що величина <$E roman U sub d~symbol Ы~10~roman В> може використовуватися як критерій придатності досліджених p - n-гетероструктур для виготовлення світлодіодів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)
• Заячук Дмитро Михайлович (технічні науки)
• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Григорчак Іван Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"