Досліджено високоомні зразки p-Si (<$E p sub 00~=~(3,3~symbol C~0,5)~cdot~10 sup 12~roman cм sup -3>) і n-Si (<$E n sub 0~=~(2,0~symbol C~0,3)~cdot~10 sup 12~roman cм sup -3>), вирощені за допомогою методу безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора за температури 287 K. Виміряно дозові та температурні залежності ефективної концентрації носіїв. Розрахунок виконано в межах уточненої моделі Госсіка. Показано, що радіаційна стійкість n- і p-Si визначається, з одного боку, кластерами, а з іншого - вакансійними дефектами (акцепторами) в n-Si і міжвузловими дефектами (донорами й акцепторами) в p-Si. З'ясовано, що в процесі опромінення зразків p-Si малими дозами нейтронів зміна зарядового стану міжвузлових дефектів призводить до відпалу цих дефектів і зменшення їх швидкості введення.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"