Досліджено вплив технологічних умов одержання стекол GeS2 на структурні зміни в c-GeS2. Виявлено, що з ростом температури розплаву в спектрі комбінаційного розсіювання досліджуваного скла з'являються смуги, характерні для а-Ge та кристалічного с-GeS в поляризації ba+(ca). Враховуючи еволюцію спектрів КР стекол с-GeS2 при збільшенні температури розплаву, від якої велося загартовування, складну смугу в області 200 - 300 <$E roman см sup -1> можна розглядати як накладання смуг, характерних для a-Ge і к-GeS. Із КР спектрів високо- та низькотемпературних модифікацій дисульфіду германію та з розрахунків коливань ланцюжків у моделі валентного силового поля встановлено, що коливання деформованих тетраедрів GeS4/2 типу A1 відповідають за найбільш інтенсивну коливну моду КР спектрів <$E beta - roman GeS sub 2> при 362 <$E roman см sup -1>. Розраховано енергетичне положення верхньої частини валентної зони (EV) і дна зони провідності (EC) сполуки GenSm. Визначено енергетичне положення електронних станів, утворених атомами Ge4p, кластерами Gesp3 та кластерами Sn. Побудовано гіпотетичну залежність енергетичного положення EV і EC від міжатомної відстані, розраховано значення енергії електронних станів <$E roman {E sup s ,~E sup Ge-Ge ,~E sup Gesp3}> та рівня Фермі EF. Для сполуки GeS2 на енергетичній діаграмі виділено імовірні розрахункові положення енергетичних рівнів, які пов'язуються з фазами Sn, <$E alpha - roman GeS sub 2>, Ge2S3, Ge-Ge, Gesp3 та LP-станами сірки.

• Кондрат Олександр Борисович (економічні науки)
• Кондрат Олександр Борисович (фізико-математичні науки)
• Міца Володимир Михайлович (1950–) (фізико-математичні науки)
• Попович Наталія Ігорівна (технічні науки)
• Попович Наталія Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"