Термодинамічно проаналізовано склад власних дефектів у GaN за температури 1400 K. Дані розрахунку рівноважних діаграм власних точкових дефектів за схемою Шотткі добре узгоджуються з експериментальними результатами. Показано, що постачальником електронів у бездомішковому n-GaN є вакансії азоту - <$E roman V sub N sup symbol Ч>, а основним компенсуючим центром вакансії галію - <$E roman {V prime symbol Т} sub Ga>. Механізм компенсації у матеріалі p-типу зумовлений <$E roman V sub N sup symbol Ч>, а також комплексами за участю вакансій азоту.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Рогозін Ігор Віталійович (технічні науки)
• Рогозін Ігор Вікторович (1965–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"