У межах псевдоспін-електронної моделі описано термодинаміку кристалізації плівок селенідів індію різного морфологічного складу з урахуванням впливу взаємодії надлишкових іонів індію з електронною підсистемою. Основні властивості процесу кристалізації плівок і виникнення тієї чи іншої фази вивчено за умови постійного хімічного потенціалу іонів індію, <$E mu>, та енергії Фермі вільних носіїв. Установлено, що за певних критичних значень <$E mu>, які залежать і від стану електронної підсистеми, <$E epsilon sub 0~-~epsilon sub F>, і від параметра g взаємодії між іонною і електронною підсистемами має місце фазовий перехід I-го роду між фазою In4Se3 і фазою InSe. Установлено, що фаза In4Se3 появляється за нижчих температур (<$E T~<<~T sub c>) лише за умови додатних значень електронної енергії, <$E epsilon sub 0~-~epsilon sub F~+~g "/" 2>, для всіх зайнятих станів (<$E epsilon sub 0~<<~epsilon sub F>), тобто у випадку, коли вільними носіями є дірки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4в73

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Товстюк Наталія Корніївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"