Досліджено вплив електричного поля на спектри фотолюмінесценції (ФЛ) наночастинок CdSe розміром 1,6 і 2,8 нм. Напруженість електричного поля змінювалась в межах <$E 0~-~4~cdot~10 sup 6> В/м. У спектрах ФЛ спостережено смуги, які відповідають екситонному переходу та дефектним, домішковим чи поверхневим переходам. Під впливом електричного поля спостережено загасання екситонних смуг ФЛ наночастинок CdSe різного розміру. Для напруженостей електричного поля, що не перевищують <$E 1,8~cdot~10 sup 6> В/м, для наночастинок розміром 2,8 нм відбувається загасання екситонної смуги та розгоряння дефектно-домішкової, що можна пояснити перекачуванням носіїв заряду з одних центрів випромінювання на інші. Для напруженостей більших за <$E 1,8~cdot~10 sup 6> В/м спостережено різке зменшення інтенсивності люмінесценції, що ймовірно є наслідком виходу носіїв за межі області випромінювальної рекомбінації під дією електричного поля.

• Бачеріков Юрій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Давиденко Марія Олексіївна (фізико-математичні науки)
• Давиденко Михайло Олександрович (технічні науки)
• Давиденко Микола Олександрович (філологічні науки)
• Оптасюк Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Дмитрук Ігор Миколайович (фізико-математичні науки)
• Дмитрук Ірина Миколаївна (юридичні науки)
• Дмитрук Ірина Михайлівна (біологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"