Наведено результати досліджень спектрів пропускання тонких плівок GeS2, Ge2S3 і As2S3 залежно від умов експонування. Встановлено, що фотоекспонування плівок GeS2 і Ge2S3 призводить до зсуву краю поглинання у короткохвильову, а плівок As2S3 - у довгохвильову область спектра. Визначено значення ширини псевдозабороненої зони <$E E sub g> і показника заломлення n плівок. Зміни оптичних параметрів плівок обумовлені фотоструктурними перетвореннями, які проходять у них у процесі опромінення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Горват Галина Томашівна (технічні науки)
• Поп Михайло Михайлович (фізико-математичні науки)
• Рубіш Василь Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"