![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000197641<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Божко В. В. Халькогенідні почетверені монокристалічні сполуки AgCd2GaS4 та їх фізичні властивості / В. В. Божко, Г. Є. Давидюк, Л. В. Булатецька, О. В. Парасюк // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 3. - С. 257-261. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.Досліджено маловивчені монокристалічні сполуки AgCd2GaS4, які кристалізуються в ромбічній структурі (просторова група <$E Pmn2 sub 1>). Порушення стехіометрії зразків і статистичне заповнення іонами <$E roman Ag sup +> і <$E roman Ga sup +> катіонної підгратки веде до порушення далекого порядку та наближає сполуку AgCd2GaS4 до невпорядкованих систем. На підставі дослідження температурної залежності питомої електропровідності та спектрів термостимульованої провідності визначено енергетичне положення дефектних центрів у забороненій зоні напівпровідника. З урахуванням експериментальних результатів розроблено якісну модель розподілу щільності електронних станів у напівпровідниках AgCd2GaS4. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|