Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000198415<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Dolgolenko A. P. Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in n-Si (FZ, Cz) = Концентрація дефектів у кластерах, утворених швидкими нейтронами реактора в n-Si (FZ, Cz) / A. P. Dolgolenko, G. P. Gaidar, P. G. Litovchenko // Ядер. фізика та енергетика. - 2007. - № 4. - С. 89-93. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Розраховано залежність концентрації дефектів від рівня легування для середньостатистичного кластера в n-Si. Показано, що в межах моделі Госсіка концентрація дефектів для такого кластера є обернено пропорційною квадрату його радіуса. Одержано розподіл за розмірами кластерів дефектів, утворених швидкими нейтронами реактора ВВР-М, шляхом перетворення енергетичного спектра первинно-вибитих атомів у n-Si (FZ, Cz). Розраховано граничну енергію утворення кластерів, яка становить 4,7 кеВ, порівнюючи кристали n-Si, опромінені дейтронами та швидкими нейтронами реактора. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|