Діелектричні властивості кристалів фосфіту бетаїну (ВРІ), синтезованих прямо у порах матеріалів МСМ-41, досліджено в частотному діапазоні від 20 Гц до 1 МГц для температурного інтервалу від 100 до 400 К. Обрано три матеріали МСМ-41 з діаметрами пор у 2,0, 2,5 і 3,7 нм. Діелектричні спектри фосфіту бетаїну, обмеженого в цих молекулярних ситах, порівняно з результатами, одержаними з дослідження чистих матеріалів МСМ-41. Ніяких більших змін не було знайдено для матеріалу з найменшими порами, у той час як діелектрична реакція матеріалів МСМ-41 з порами 2,5 і 3,7 нм, що містять ВРІ, відрізняється значно від такої для порожніх пор, підтверджуючи успішне включення сегнетоелектричного матеріалу в пористу матрицю. Діелектричні аномалії, викликані фазовими переходами з параелектричної фази у антиферодисторсійну, знайдено відповідно за температури 369 і 354 К, але ніякий фазовий перехід у сегнетоелектричну фазу за низьких температур не спостерігався для досліджених зразків. Зазначено, що діелектрична реакція досліджених матеріалів є під сильним впливом молекул води, які були адсорбовані під час процедури готування зразків.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"