![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000198467<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Ptashchenko O. O. Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs p - n junctions = Вплив атомів сірки на поверхневий струм у p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 36-39. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого та зворотного струмів, спектр фотоструму та чутливість p - n-переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p - n-переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснено зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|