![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000198479<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Rudenko T. E. Electrical properties of FinFET structures = Електричні властивості FinFET структур / T. E. Rudenko, V. I. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, D. Flandre // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 3. - С. 13-18. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Досліджено електричні властивості транзисторних структур типу FinFET (fin field-effect-transistor). Ці структури вважаються найбільш перспективними для створення нанорозмірних метал-оксид-напівпровідник транзисторів і інтегральних схем завдяки значному послабленню коротко-канальних ефектів. Досліджено вплив геометричних розмірів структури на характеристики транзисторів. Особливу увагу приділено рухливості носіїв в інверсійному каналі FinFET структур. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 + З844.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|