Olenych I. B. Influence of electric field on photoluminescence of porous silicon = Вплив електричного поля на фотолюмінесценцію поруватого кремнію / I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 70-72. - Библиогр.: 5 назв. - англ.
Виявлено зв'язок між спектрами фотолюмінесценції поруватого кремнію та його термоелектретними властивостями. Досліджено вплив електричного поля на інтенсивність і спектральне положення максимуму смуги фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію. Аналіз спектрів світловипромінювання вказував на прояв декількох механізмів рекомбінації носіїв заряду в поруватому шарі. Створено модель світловипромінювання поруватого кремнію, яку підтверджено результатами експериментальних досліджень.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"