Досліджено залежності тиску насичених парів напівпровідника-сегнетоелектрика Sn2P2S6 (гексатіогіподифосфату олова) в інтервалі температур 500 - 1500 K. Уточнено області фазових перетворень даної сполуки. Показано, що в інтервалі температур 500 - 699 К термічна дисоціація відбувається з утворенням сполуки SnS, а в інтервалі 699 - 930 К - з утворенням SnS2. Рекомендовано технологічні режими вирощування монокристалів Sn2P2S6 за допомогою методу хімічних транспортних реакцій.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"