Boichuk V. I. Phonon and polaron states of a quantum well heterostructure of crystals with a hexagonal lattice structure = Фононні та поляронні стани наногетероструктури з квантовою ямою кристалів гексагональної симетрії / V. I. Boichuk, V. A. Borusevych, I. S. Shevchuk // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2008. - № 3. - С. 11-23. - Библиогр.: 25 назв. - англ.Теоретично досліджено залежності енергії обмежених (confined), міжповерхневих (interface), напівобмежених (half-space) фононів та фононів, що поширюються (propagating phonons), від хвильового вектора для симетричних та несиметричних тришарових наногетеросистем кристалів гексагональної симетрії. Досліджено також закон дисперсії поляронів у кристалі GaN та у подвійній наногетероструктурі AlN/GaN/AlN. Враховано всі типи поляризаційних коливань, з якими взаємодіє електрон. Проведено обчислення в межах моделі скінченного та нескінченного розриву зон. Показано, що зі збільшенням товщини наноплівки внесок міжповерхневих фононів у енергію полярона зменшується, а обмежених фононів збільшується. Проведено обчислення середньої швидкості та ефективної маси полярона. Показано, що із зменшенням розмірності системи виникає ефективне підсилення електрон-фононної взаємодії. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|