За допомогою методу мас-спектрометрії вторинного іона, магнітометрії і рентгеноскопічного методу досліджено вплив підвищеного гідростатичного тиску (ГТ, до 1,1 ГПа), прикладеного до Si:V, Si:Cr, Si:V,Cr і Si:Mn за температури до 1 270 K, виготовлених імплантацією відповідних металевих іонів (дози <$E 1~times~10 sup 15~-~1~times~10 sup 16~roman см sup 2>, з енергією 160 або 200 кеВ) у (001) орієнтований Si, який вирощено методом Чохральського. Імплантація створює аморфний кремній (a-Sі) в області включеного іона. Відбувається квазіепітаксіальний повторний ріст a-Si за високої температури. Профілі концентрації V, Cr і Мn не залежать помітно від ГТ при температурах нижчих 1 000 K. Помітна дифузія включених атомів до поверхні зразка спостерігається у випадку обробки за температур >> 1 000 K при <$E 10 sup 5> Па, особливо у випадку Si:Cr і Si:Mn. При ГТ ця дифузія навіть більш явно виражена, перекристалізація a-Si сповільнюється і границя a-Si/Si стає збагаченою атомами металу. Обробка Si:V, Si:Cr і Si:Mn за температур <$E symbol Г~723> K призводить до помітного упорядкування феромагнетика, що спостерігається також за температур вищих 50 K. Це означає, що можна одержати нові матеріали Si-V, Si-Cr і Si-Mn, які належать до класу розведених магнітних напівпровідників.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"