Наведено результати дослідження формування оксидного шару на поверхні Mo(110) за допомогою дифракції повільних електронів, оже-спектроскопії, термодесорбційної спектроскопії, контактної різниці потенціалів, а також розрахунків (у межах теорії функціонала електронної густини) потенціального бар'єра для руху атомів кисню в приповерхневій області. Розрахунки з використанням методу функціонала електронної густини показали, що кисень проникає під поверхневий шар поблизу границь атомних терас. Оксидний шар утворюється за температури, близької 800 К, за умови достатньої поверхневої концентрації кисню.

• Осовський Василь Денисович (фізико-математичні науки)
• Балакін Дмитро Юрійович (фізико-математичні науки)
• Клименко Євгеній Володимирович (технічні науки)
• Ісіченко Наталія Валеріївна (сільськогосподарські науки)
• Петрова Наталія Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Петрова Наталія Валеріївна (сільськогосподарські науки)
• Петрова Наталія Василівна (економічні науки)
• Петрова Наталя Вікторівна (фізичне виховання та спорт)
• Яковкін Іван Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"