Исследовано влияние высоких давлений на структурные превращения в халькогенидах меди системы (GeSe)1-x(CuAsSe2)x при x = 1 и 0,95. В качестве чувствительных параметров использовали термоэлектродвижущую силу, электросопротивление и тангенс угла диэлектрических потерь. Установлены области давлений, в которых наблюдаются существенные изменения в поведении термоэдс и электрических свойств, связанных с возможными структурными переходами: в соединении CuAsSe2 (x = 1) при 19, 36 и 43 - 44 ГПа, в соединении (GeSe)0,05(CuAsSe2)0,95 (x = 0,95) при 27 ГПа и в области 38 - 43 ГПа.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В368.1

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Фізика високих температур

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Мельникова Надія Володимирівна (економічні науки)
• Мельникова Наталія Валентинівна (фармацевтичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"