Гомоннай О. О. Барична поведінка діелектричної проникності в кристалах <$E bold roman TlGaSe sub 2> / О. О. Гомоннай, М. Ю. Риган, І. Ю. Роман, П. П. Гуранич, О. Г. Сливка // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2008. - № 4. - С. 35-39. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Досліджено шаруваті сегнетоелектрики <$E roman TlGaSe sub 2> з неспівмірною фазою за високих гідростатичних тисків (<$E p sub атм~symbol Г~p~symbol Г~660> МПа). Встановлено, що у разі збільшення тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності в область вищих температур, зміна температур характерних аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у досліджуваному інтервалі тисків. За результатами досліджень баричних залежностей діелектричної проникності, піроелектричного коефіцієнта та петель гістерезису побудовано (p, T)-діаграму кристалів <$E roman TlGaSe sub 2>. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|