Представлено результати вирощування за допомогою методу газотранспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів <$E {roman InAs} sub 1-x {roman Sb} sub x> із різним складом InSb: від 2 до 16 моль %. Визначено, що високою рухливістю носіїв заряду до 30 000 см<^>2В<^>-1 характеризуються мікрокристали твердих розчинів складу InAs0,84Sb0,16. Легування оловом мікрокристалів InAs0,84Sb0,16 дозволяє зменшити температурні коефіцієнти сталої Холла та питомого опору у порівнянні з InSb за збереження високої чутливості до магнітного поля. Одночасно радіаційна стійкість таких кристалів є вищою за радіаційну стійкість кристалів InAs. У ході дослідження показано, що кристали твердого розчину ІnAsSb є перспективними для використання їх як сенсорів магнітного поля за екстремальних умов.

• Большакова Інеса Антонівна (технічні науки)
• Кость Ярослав Ярославович (технічні науки)
• Макідо Олена Юріївна (технічні науки)
• Шуригін Федір Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"