Исследовано влияние высокочастотной (f = 5 Мгц) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p - n-переходов, приготовленных термической диффузией кадмия. Показано, что УЗО переходов приводит к увеличению градиента концентрации дефектов на их границе, уменьшению толщины области пространственного заряда и рекомбинационного времени носителей заряда в ней. При этом наиболее значительно (более чем на порядок величины) изменяется туннельная составляющая тока. В то же время генерационно-рекомбинационная составляющая прямого тока менее чувствительна к УЗО. Обсуждены возможные модели влияния УЗО на пороговые параметры и электрические характеристики переходов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"