Рассмотрена ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3 - 5 при кпд до 11 - 13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассмотрено умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %.

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)
• Павленко Денис Вікторович (1988–) (юридичні науки)
• Павленко Дмитро Вікторович (1977–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"