Лісовський І. П. Дослідження процесу відпалу радіаційних дефектів у плівкових структурах nc-Si/SiO2 / І. П. Лісовський, М. В. Войтович, В. Г. Литовченко, І. М. Хацевич, В. В. Войтович, Б. О. Данильченко // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 10. - С. 1038-1043. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Досліджено структури nc-Si/SiO2, опромінені <$E gamma>-квантами дозою <$E 2~cdot~10 sup 7> рад і відпалені в діапазоні температур 50 - 450 <$E symbol Р>C. Показано, що процес відпалу радіаційних дефектів характеризується не єдиним, а розподіленим значенням енергії активації. З аналізу ізотермічних кривих знайдено значення частотного фактора процесів відпалу <$E A~=~10 sup 7~roman c sup -1>. Використовуючи методи ізохронного та ізотермічного відпалів, побудовано функцію розподілу енергії активації <$E n(E sub roman a )>. Ця величина розподілена в інтервалі 0,85 - 1,05 еВ із піком за 0,96 еВ. Наведені характеристики відпалу дозволяють зробити висновок, що радіаційні дефекти, які призводять до часткового гасіння фотолюмінесценсії, утворюються на межі поділу Si нанокристал - оксидна матриця. Природа цих дефектів і механізм їх утворення, скоріш за все, подібні таким, що притаманні поверхневим станам, які утворюються іонізуючим опроміненням на межі поділу планарних структур Si - SiO2. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|