Ільченко В. В. Дослідження систем з гетеропереходом p-Si/наноструктурована плівка SnO2 / В. В. Ільченко, В. В. Присяжний, С. О. Гордієнко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2008. - № 4. - С. 207-211. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Розглянуто властивості структур наноструктурована плівка SnO2 - кремній з різною товщиною адсорбційно-активного шару. Експериментально одержано немонотонну залежність зміни висоти потенціального бар'єру з наявністю максимуму. Для пояснення залежності, що спостерігається, розглянуто механізми проходження струму крізь плівку, що утворює гетероструктуру. Показано, що за вагової товщини плівки 30 нм в ній міститься найбільша кількість пасток. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|